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STN1NK60Z  与  BSP125 H6327  区别

型号 STN1NK60Z BSP125 H6327
唯样编号 A-STN1NK60Z A-BSP125 H6327
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 600 V 15 O 4.9 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet- SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 15Ω@400mA,10V 25Ω
上升时间 - 14.4ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 6.6nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
正向跨导 - 最小值 - 60mS
封装/外壳 SOT-223 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.3A 120mA
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 110ns
高度 - 1.6mm
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) 1.8W
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SuperMESH™ BSP125
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 94pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.9nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 7.7ns
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN1NK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 15Ω@400mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.3A

暂无价格 0 当前型号
BSP125 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP125H6327XTSA1_600V 120mA 25Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 1,000 对比
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥2.189 

阶梯数 价格
30: ¥2.189
50: ¥1.683
139 对比
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥2.1348 

阶梯数 价格
240: ¥2.1348
500: ¥1.7498
1,000: ¥1.5216
0 对比
BSP126,135 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥2.7325 

阶梯数 价格
750: ¥2.7325
1,000: ¥2.1348
2,000: ¥1.7498
4,000: ¥1.5216
0 对比
BSP126,135 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

暂无价格 0 对比

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